这倒也不是他们第一次跟三星合作，之前Y4S的芯片也是找三星代工的。
问题是现在三星14纳米的芯片质量不如台基电的，所以手机的竞争力也会跟着下降，由此可见，自己能生产芯片的重要性。
为了尽快实现芯片自主，旻西芯片厂又抽调了两百多名工程师到上海去支援14纳米芯片研发，加上振中也有上百名工程师，研发人员超过了五百人。大家日夜不休，三班轮流，没日没夜地钻研光刻技术。
努力当然是有成效的，半年后，他们突破了28纳米的工艺，一年后，他们实现了20纳米的光刻工艺。
2016年6月，旻西科技从阿斯麦尔订购的28纳米光刻机终于交货。这就意味着，旻西科技可以自己研发14纳米的芯片工艺了。
不过公司并没有让在上海出差的工程师们立即回深圳，因为14纳米的工艺研发已经进入关键时刻。
10月30日，旻西召开了最新款手机旻西Y5S的发布会，这比往年8月中旬的发布会迟了两个多月。
为什么会晚这么多？除了功能升级外，还有旻西和振中的工程师们合力突破了14纳米的芯片工艺的缘故。
振中实现了14纳米的芯片量产，而且良品率达到了91%，这个良品率不算很高，但已经完全可以满足商用了。
振中突破了14纳米的芯片工艺，意味着
旻西芯片也突破了14纳米的芯片工艺。
但不管是振中还是旻西，都没有立即对外声称他们的芯片工艺达到了这个水平，振中对外声称的是芯片工艺突破了20纳米。
晏旻和蔺征西费了九牛二虎之力，才劝说胡耀伟接受了这个提议。
毕竟实现工艺突破的目的是为了什么？就是想让有需求的客户知道，他们能够生产这种精度的芯片，以吸引客户来他们这里下单，工厂才能赚到钱。
现在工艺突破了，却不让往外说，那不就等于把生意拒之门外嘛，胡耀伟一开始是拒绝的。
晏旻和蔺征西都认为目前并不是公布这个结果的好时机，他们给胡耀伟仔细分析了一下当前的产业环境，英特尔、台基电和三星都尚未实现更高精度的工艺突破，他们争抢14纳米的手机芯片订单已经进入了白热化阶段。
这个时候如果宣布振中已经实现了14纳米芯片的量产，能引来多少客户不好说，但绝对会招来无尽的麻烦。
不到三年时间就完成了从零基础到14纳米芯片工艺的突破，一个新生的芯片厂就有这样恐怖的潜力，英特尔、台基电、三星等都不会对振中坐视不理，趁早绞杀在摇篮中才是正途。
最直接的办法，就是掐断光刻机的供应，毕竟他们都是阿斯麦尔的股东，振中以后再也别想买到更高精度的光刻机。
为了让振中暂时不对外宣称14纳米的工艺突破，旻西允诺将自家14纳米的芯片都交给振中生产。
胡耀伟考虑了很久，最后答应下来这个提议。
事实上，他们宣称可以量产20纳米的芯片时，还是引起了业内的关注。旻西生产芯片那么多年了，至今的生产工艺还只有30纳米。
而一个之前从来没有芯片生产经验的工厂，在买了一台28纳米的光刻机后，用了两三年的时间，就实现了20纳米的工艺，这说起来多少有点恐怖。20纳米的工艺已经实现，14纳米就是下一步了，还需要多久呢？
振中要是像他们一样能拿到最新款的光刻机，能突破到多少纳米的工艺？
所以当振中再次跟阿斯麦尔下单20纳米光刻机的时候，对方以遵守《瓦森纳协定》为由，拒绝了振中的要求。
振中只好又转而下单28纳米的光刻机，阿斯麦尔以产能不足为由，将交货时间拉长到了18个月，比第一次的时间延长了两倍。
胡耀伟终于相信他们是被针对了，英特尔、台基电和三星都不想让他们提高产能。
旻西Y5S的处理器芯片都是交给振中生产的，开手机发布会的时候，他们只强调了处理器采用了14纳米的工艺，并没有交代是哪家生产的。
以台基电和三星的对头关系，他们不至于互相交换信息，三星没接到订单，只会猜测是不是去找了台基电或者英特尔。
暂时糊弄一段时间，等明年就可以宣布旻西科技突破了14纳米的芯片工艺，反正旻西不怕被制裁，他们一直就没从制裁名单上下来过。
过两年等其他公司突破了10纳米、7纳米工艺的时候，振中再去跟阿斯麦尔买一台20纳米的DUV光刻机，20纳米的DUV光刻机通过多次曝光，可以生产7纳米的芯片，虽然技术难度极高，但也不是不能实现。
晏旻认为，要是国内有一台20纳米的光刻机，基本就不担心被制裁了。
前提是振中真能一直保持低调，并且买到20纳米的光刻机，最好是赶在中美贸易战之前买到。
2017年3月，旻西高调宣布他们已经实现了14纳米的工艺突破，良品率达到了93%。
这个消息令业内稍微紧张了一下，不过台基电已经于上一年实现了10纳米芯片工艺突破和试产，并且在
年底实现了量产，目前7纳米的工艺技术也取得了很大的突破。
他们已经领先了英特尔与三星至少一年的时间，所以也没太把旻西科技放在眼里，只要在源头上控好光刻机就行，绝不能让旻西买到更高精度的光刻机，旻西的技术再牛逼，巧妇也难为无米之炊。
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